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GermanyIPP06CNE8N G
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP06CNE8N G
摘要
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
详情
通孔 N 通道 85 V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
85 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
138 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9240 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP06C
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP06CNE8NG
IPP06CNE8NGXK
IPP06CNE8N G-ND
IPP06CNE8NGX
SP000096464
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP06CNE8N G
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价格
-
替代型号
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,804
单价. : ¥28.86000
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型号 : PSMN3R0-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : PSMN6R5-80PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : PSMN5R0-80PS,127
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型号 : PSMN4R6-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
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单价. : ¥22.82000
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型号 : PSMN7R6-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,555
单价. : ¥16.54000
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