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GermanyRGF1MHE3_A/H
元器件型号详细信息
原厂型号
RGF1MHE3_A/H
摘要
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
详情
二极管 1000 V 1A 表面贴装型 DO-214BA（GF1）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1000 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.3 V @ 1 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容
8.5pF @ 4V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-214BA
供应商器件封装
DO-214BA（GF1）
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
基本产品编号
RGF1
相关信息
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1MHE3_A/H
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规格书
1(RGF1A - RGF1M)
PCN 组装/来源
1(Manufacturing Location Change 12/Oct/2020)
HTML 规格书
1(RGF1A - RGF1M)
价格
-
替代型号
型号 : RGF1M-E3/67A
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 3,496
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 参数等效
库存 : 3,496
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 参数等效
型号 : RGF1M-7000HE3_A/I
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
型号 : RGF1M-7000HE3_B/I
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效