元器件型号详细信息

原厂型号
NJG1516R-TE1
摘要
IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8VSP
详情
射频开关 IC GSM SPDT 3 GHz 50 欧姆 8-VSP
原厂/品牌
Nisshinbo Micro Devices Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Nisshinbo Micro Devices Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
射频类型
GSM
拓扑
吸收
电路
SPDT
频率范围
1MHz ~ 3GHz
隔离
25dB
插损
0.55dB
测试频率
2GHz
P1dB
-
IIP3
62dBm
特性
-
阻抗
50 欧姆
电压 - 供电
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装
8-VSP

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2(1 年)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

其它名称

NJG1516R-TE1TRINACTIVE-ND
NJG#1516R-TE1
NJG1516R-TE1DKRINACTIVE
NJG1516R-TE1TRINACTIVE
2129-NJG1516R-TE1CT
NJG#1516R-TE1-ND
NJG1516R-TE1-ND
NJG1516R-TE1CTINACTIVE
NJG1516R-TE1TR-ND
NJG1516R-TE1CTINACTIVE-ND
NJG1516R-TE1DKRINACTIVE-ND
2129-NJG1516R-TE1DKR
NJG1516R-TE1#
2129-NJG1516R-TE1TR
NJG1516R-TE1TR
NJG1516R-TE1#-ND

所属分类/目录

/产品索引 /射频和无线/射频开关/Nisshinbo Micro Devices Inc. NJG1516R-TE1

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规格书
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PCN 产品变更/停产
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价格

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替代型号

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