元器件型号详细信息

原厂型号
PMN40UPE,115
摘要
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4.7A(Ta) 500mW(Ta),8.33W(Tc) 6-TSOP
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
43 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1820 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta),8.33W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SC-74,SOT-457

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

568-10801-2
568-10801-1
1727-1358-1
934066847115
568-10801-6
1727-1358-2
PMN40UPE,115-ND
568-10801-2-ND
568-10801-1-ND
568-10801-6-ND
1727-1358-6
2156-PMN40UPE,115-1727

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. PMN40UPE,115

相关文档

规格书
1(PMN40UPE)
PCN 产品变更/停产
1(EOL 02/Dec/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(PMN40UPE)

价格

-

替代型号

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