元器件型号详细信息

原厂型号
CSD17552Q3A
摘要
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 15A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta) 8-SON(3.3x3.3)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2050 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SON(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
CSD17552

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-296-34990-1
296-34990-1
-CSD17552Q3A-NDR
296-34990-2
-296-34990-1-ND
296-34990-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD17552Q3A

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规格书
1(CSD17552Q3A)
特色产品
1(Power Management)
PCN 封装
1(ECAT Label Update 02/Oct/2014)
制造商产品页面
1(CSD17552Q3A Specifications)
HTML 规格书
1(CSD17552Q3A)
EDA 模型
()

价格

数量: 1000
单价: $3.32703
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2500
单价: $3.32704
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 500
单价: $4.21424
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.1015
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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