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GermanySQ4532AEY-T1_BE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQ4532AEY-T1_BE3
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 7.3A（Tc），5.3A（Tc） 3.3W（Tc） 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A（Tc），5.3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
31 毫欧 @ 4.9A，10V，70 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.8nC @ 10V，10.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
535pF @ 15V，528pF @ 15V
功率 - 最大值
3.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SQ4532
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
742-SQ4532AEY-T1_BE3CT
742-SQ4532AEY-T1_BE3DKR
742-SQ4532AEY-T1_BE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_BE3
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