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GermanyIGP30N65H5XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGP30N65H5XKSA1
摘要
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
详情
IGBT 沟道 650 V 55 A 188 W 通孔 PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
45 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
188 W
开关能量
280µJ（开），100µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
70 nC
25°C 时 Td（开/关）值
19ns/177ns
测试条件
400V，15A，23 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
PG-TO220-3
基本产品编号
IGP30N65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFIGP30N65H5XKSA1
2156-IGP30N65H5XKSA1
SP001037772
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IGP30N65H5XKSA1
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规格书
1(IGP30N65H5)
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chg 7/Aug/2019)
HTML 规格书
1(IGP30N65H5)
价格
数量: 500
单价: $15.49898
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
最小包装数量: 500
替代型号
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