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GermanySQD40N10-25_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQD40N10-25_GE3
摘要
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3380 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SQD40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQD40N10-25_GE3CT
SQD40N10-25_GE3DKR
SQD40N10-25_GE3TR
SQD40N10-25_GE3-ND
SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQD40N10-25_GE3
相关文档
规格书
1(SQD40N10-25)
PCN 组装/来源
1(SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
价格
数量: 2000
单价: $25.40044
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $26.73732
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $31.70278
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $37.2414
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $45.456
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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