元器件型号详细信息

原厂型号
SSM3J304T(TE85L,F)
摘要
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 2.3A(Ta) 700mW(Ta) TSM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIII
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
127毫欧 @ 1A,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.1 nC @ 4 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
335 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TSM
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
SSM3J304

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SSM3J304T(TE85LF)CT
SSM3J304T(TE85LF)TR
SSM3J304TTE85LF
SSM3J304T(TE85LF)DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T(TE85L,F)

相关文档

规格书
1(SSM3J304T)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices Oct/2013)

价格

-

替代型号

型号 : SSM3J325F,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 5,741
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
型号 : FDN308P
制造商 : onsemi
库存 : 3,714
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似
型号 : NX2301P,215
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 219,171
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
型号 : DMP2225LQ-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.97927
替代类型. : 类似
型号 : PMV100XPEAR
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 22,389
单价. : ¥3.66000
替代类型. : 类似
型号 : DMP2160UW-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 682
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 类似
型号 : SQ2301ES-T1_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 类似