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元器件资讯
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2SA1930,LBS2DIAQ(J
元器件型号详细信息
原厂型号
2SA1930,LBS2DIAQ(J
摘要
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W 通孔 TO-220NIS
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
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技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
2 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
180 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1V @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)
5µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 100mA,5V
功率 - 最大值
2 W
频率 - 跃迁
200MHz
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220NIS
基本产品编号
2SA1930
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
2SA1930LBS2DIAQJ
2SA1930LBS2DIAQ(J
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,LBS2DIAQ(J
相关文档
规格书
1(2SA1930)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device EOL 30/Nov/2016)
HTML 规格书
1(2SA1930)
价格
-
替代型号
型号 : 2SA1668
制造商 : Sanken
库存 : 5,871
单价. : ¥14.95000
替代类型. : 类似
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