IPB60R199CPAATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB60R199CPAATMA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

199 毫欧 @ 9.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1.1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

43 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1520 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

139W（Tc）

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB60R199

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB60R199CPAATMA1

价格

数量: 5000

单价: $15.11881
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $15.70941
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $16.53619
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

替代型号

型号 : STB37N60DM2AG

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥52.87000
替代类型. : 直接

型号 : SIHB22N60ET1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥28.30000
替代类型. : 类似

型号 : STB24N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥26.08000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA30N60X

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥40.98943
替代类型. : 类似

型号 : SIHB21N65EF-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 351
单价. : ¥40.39000
替代类型. : 类似

型号 : STB31N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥18.68529
替代类型. : 类似

型号 : TK20G60W,RVQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥11.26859
替代类型. : 类似

型号 : AOB27S60L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 5,720
单价. : ¥31.88000
替代类型. : 类似

8-2061348-2 TNPW08052K00BYEA CX10S-0BAG0G-P-A-DK00000 C1825C222KHRAC7800 ASPI-0320S-100M-T3

IPB60R199CPAATMA1

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号