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元器件型号详细信息
原厂型号
NVB190N65S3F
摘要
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 20A（Tc） 162W（Tc） D²PAK-3（TO-263-3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1605 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
162W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK-3（TO-263-3）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NVB190
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NVB190N65S3FCT
NVB190N65S3F-ND
488-NVB190N65S3FDKR
488-NVB190N65S3FTR
2156-NVB190N65S3F-488
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVB190N65S3F
相关文档
规格书
1(NVB190N65S3F)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Improve FAB Process 26/APR/2023)
PCN 封装
1(PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021)
HTML 规格书
1(NVB190N65S3F)
价格
数量: 2400
单价: $16.03209
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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数量: 1600
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最小包装数量: 800
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替代型号
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