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GermanyFZ800R12KE3HOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FZ800R12KE3HOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 800A 3550W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 单路 1200 V 800 A 3550 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
C
包装
托盘
产品状态
最后售卖
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
800 A
功率 - 最大值
3550 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，800A
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
56 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FZ800R12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FZ800R12KE3HOSA1-ND
FZ800R12KE3
448-FZ800R12KE3HOSA1
SP000100782
FZ800R12KE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FZ800R12KE3HOSA1
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1(FZ800R12KE3)
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价格
数量: 30
单价: $1620.736
包装: 托盘
最小包装数量: 1
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替代型号
型号 : FZ900R12KE4HOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11
单价. : ¥2,029.53000
替代类型. : MFR Recommended
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