IPP60R600P6XKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPP60R600P6XKSA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3

详情

通孔 N 通道 600 V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO220-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P6

包装

管件

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 2.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

12 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

557 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

63W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP60R

其它名称

INFINFIPP60R600P6XKSA1

IPP60R600P6-ND

SP001017054

IPP60R600P6

2156-IPP60R600P6XKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP60R600P6XKSA1

价格

-

替代型号

型号 : IPP60R600P7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.63000
替代类型. : 类似

型号 : STP11N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥14.31000
替代类型. : 类似

型号 : STP13N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥17.09000
替代类型. : 类似

型号 : FCP600N60Z

制造商 : onsemi
库存 : 402
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似

型号 : STP13N80K5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 495
单价. : ¥30.76000
替代类型. : 类似

型号 : STP10N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似

型号 : STP13NK60Z

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 998
单价. : ¥22.18000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP14N60P

制造商 : IXYS
库存 : 230
单价. : ¥38.24000
替代类型. : 类似

型号 : STP12N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 928
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似

RN73H1ETTP2403F25 D55342E07B3B88RT3 S-291CS CPS19-NO00A10-SNCCWTNF-AI0YMVAR-W1075-S 101188402CHCO

IPP60R600P6XKSA1

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