SIR112DP-T1-RE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIR112DP-T1-RE3

摘要

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

详情

表面贴装型 N 通道 40 V 37.6A（Ta），133A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

88 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

37.6A（Ta），133A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.96 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

89 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

+20V，-16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4270 pF @ 20 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

5W（Ta），62.5W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

基本产品编号

SIR112

其它名称

SIR112DP-T1-RE3TR

SIR112DP-T1-RE3CT

SIR112DP-T1-RE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIR112DP-T1-RE3

价格

数量: 3000

单价: $4.65448
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $4.98693
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.31674
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.6467
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.81
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.97
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.98693
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.31674
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.6467
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.81
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.97
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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制造商 : Rohm Semiconductor
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制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,338
单价. : ¥15.82000
替代类型. : 类似

型号 : RQ3E180GNTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,820
单价. : ¥5.64000
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型号 : RQ3G100GNTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 124,746
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似

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SIR112DP-T1-RE3

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