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GermanyNTHD4502NT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTHD4502NT1G
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
详情
MOSFET - 阵列 30V 2.2A 640mW 表面贴装型 ChipFET™
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140pF @ 15V
功率 - 最大值
640mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
ChipFET™
基本产品编号
NTHD4502
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTHD4502NT1G
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规格书
1(NTHD4502N)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTHD4502N)
EDA 模型
1(NTHD4502NT1G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-