元器件型号详细信息

原厂型号
CDBJFSC8650-G
摘要
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
详情
二极管 650 V 8A 通孔 TO-220F
原厂/品牌
Comchip Technology
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Comchip Technology
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 8 A
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
560pF @ 0V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2 整包
供应商器件封装
TO-220F
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
CDBJFSC8650

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

641-1937
-1256-CDBJFSC8650-G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Comchip Technology CDBJFSC8650-G

相关文档

规格书
1(CDBJFSC8650-G)
环保信息
1(Comchip Technology RoHS Cert)
特色产品
1(SiC Schottky Barrier Diodes)
PCN 设计/规格
1(CDBx 23-May-2022)
HTML 规格书
1(CDBJFSC8650-G)

价格

数量: 2000
单价: $17.87357
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $18.81428
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.30844
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $26.2058
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $31.981
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $35.61
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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