元器件型号详细信息

原厂型号
CPH3355-TL-H
摘要
MOSFET P-CH 30V 2.5A 3CPH
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
156 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
172 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-CPH
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
CPH335

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

CPH3355-TL-HOSTR
CPH3355-TL-HOSDKR
CPH3355-TL-H-ND
CPH3355-TL-HOSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi CPH3355-TL-H

相关文档

规格书
1(CPH3355)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 28/Apr/2017)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Transfer 04/Dec/2014)
HTML 规格书
1(CPH3355)
EDA 模型
1(CPH3355-TL-H by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : SI2303CDS-T1-GE3
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