SISS04DN-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SISS04DN-T1-GE3

摘要

MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 50.5A（Ta），80A（Tc） 5W（Ta），65.7W（Tc） PowerPAK® 1212-8S

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

32 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50.5A（Ta），80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.2 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

93 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

+16V，-12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4460 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

5W（Ta），65.7W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8S

基本产品编号

SISS04

其它名称

SISS04DN-T1-GE3TR

SISS04DN-T1-GE3CT

SISS04DN-T1-GE3DKR

SISS04DN-GE3

2266-SISS04DN-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SISS04DN-T1-GE3

价格

数量: 3000

单价: $5.20608
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $5.57791
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.06544
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.553
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $10.97
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.24
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.57791
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.06544
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.553
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $10.97
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.24
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

"BLF6G20-180PN,112"FGA.1B.308.CLAD72 219-8LPSJ B82432C1473K000 CDR01BP101BJZMAR

SISS04DN-T1-GE3

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