元器件型号详细信息

原厂型号
DMP3017SFGQ-7
摘要
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 11.5A(Ta) 940mW(Ta) PowerDI3333-8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 11.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2246 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
940mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMP3017

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

DMP3017SFGQ-7DICT
DMP3017SFGQ-7DITR
DMP3017SFGQ-7DIDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMP3017SFGQ-7

相关文档

规格书
1(DMP3017SFGQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 2/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(Additional Assembly/Test Site 24/Aug/2021)
EDA 模型
1(DMP3017SFGQ-7 by SnapEDA)

价格

-

替代型号

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