元器件型号详细信息

原厂型号
FQPF3P20
摘要
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
详情
通孔 P 通道 200 V 2.2A(Tc) 32W(Tc) TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
250 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
32W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF3

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQPF3P20

相关文档

规格书
1(FQPF3P20)
环保信息
()
HTML 规格书
1(FQPF3P20)
EDA 模型
1(FQPF3P20 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

-