FQT3P20TF

元器件型号详细信息

原厂型号

FQT3P20TF

摘要

MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4

详情

表面贴装型 P 通道 200 V 670mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

53 周

EDA/CAD 模型

标准包装

4,000

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

QFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

670mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.7 欧姆 @ 335mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

8 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

250 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.5W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-223-4

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

基本产品编号

FQT3P20

相关信息

RoHS 状态

符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 (MSL)

1（无限）

REACH 状态

非 REACH 产品

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

其它名称

FQT3P20TFCT

FQT3P20TFTR

FQT3P20TF-ND

FQT3P20TFDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQT3P20TF

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规格书

1(FQT3P20)

环保信息

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PCN 设计/规格

()

PCN 封装

1(Mult Devices 24/Oct/2017)

EDA 模型

1(FQT3P20TF by Ultra Librarian)

价格

数量: 28000

单价: $2.32191
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 12000

单价: $2.40571
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 8000

单价: $2.49824
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 4000

单价: $2.68329
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 2000

单价: $2.68329
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $2.96086
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.106
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.92
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

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单价: $2.68329
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最小包装数量: 1

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替代型号

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