元器件型号详细信息

原厂型号
SISS72DN-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 7A(Ta),25.5A(Tc) 5.1W(Ta),65.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8S
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Ta),25.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
42 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
550 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.1W(Ta),65.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8S
基本产品编号
SISS72

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SISS72DN-T1-GE3DKR
SISS72DN-T1-GE3CT
SISS72DN-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SISS72DN-T1-GE3

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规格书
1(SISS72DN)
HTML 规格书
1(SISS72DN)

价格

数量: 3000
单价: $5.78075
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $6.20894
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.4936
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.1206
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.344
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.64
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最小包装数量: 1

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