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GermanyTSM1NB60CP ROG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM1NB60CP ROG
摘要
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
138 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
TSM1NB60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM1NB60CP ROGCT-ND
TSM1NB60CP ROGDKR-ND
TSM1NB60CP ROGCT
TSM1NB60CPROGDKR
TSM1NB60CP ROGTR-ND
TSM1NB60CPROGCT
TSM1NB60CP ROGTR
TSM1NB60CPROGTR
TSM1NB60CP ROGDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP ROG
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环保信息
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1(TSM1NB60)
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价格
数量: 2500
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