English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTW8NK80Z
元器件型号详细信息
原厂型号
STW8NK80Z
摘要
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
详情
通孔 N 通道 800 V 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
50 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1320 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW8NK80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-12807-5-ND
497-STW8NK80Z
497-12807-5
STW8NK80Z-ND
-497-12807-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STW8NK80Z
相关文档
规格书
1(ST(P,W)8NK80Z(FP))
其他相关文档
1(STW8NK80Z View All Specifications)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
HTML 规格书
1(ST(P,W)8NK80Z(FP))
EDA 模型
1(STW8NK80Z by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $15.18826
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $15.78155
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $16.61212
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $19.69732
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $23.1382
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $28.238
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $31.48
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IRFPE40PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,004
单价. : ¥34.58000
替代类型. : 类似
库存 : 1,004
单价. : ¥34.58000
替代类型. : 类似