SISH892BDN-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SISH892BDN-T1-GE3

摘要

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 6.8A（Ta），20A（Tc） 3.4W（Ta），29W（Tc） PowerPAK® SO-8DC

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

88 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.8A（Ta），20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

30.4 欧姆 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

26.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1110 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.4W（Ta），29W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8DC

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

其它名称

742-SISH892BDN-T1-GE3DKR

742-SISH892BDN-T1-GE3TR

742-SISH892BDN-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SISH892BDN-T1-GE3

价格

数量: 3000

单价: $2.7208
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $3.00224
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.75284
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.7475
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.193
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.08
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.00224
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.75284
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.7475
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.193
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.08
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

531FB74M2500DG CRCW121062R0JNEAHP 9C08052A1370FKHFT CPS16-NC00A10-SNCCWTWF-AI0WRVAR-W1040-S RN73H2BTTD5052F25

SISH892BDN-T1-GE3

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