元器件型号详细信息

原厂型号
STY100NM60N
摘要
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
详情
通孔 N 通道 600 V 98A(Tc) 625W(Tc) MAX247™
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧 @ 49A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
330 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9600 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
625W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
MAX247™
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
STY100

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-13289-5
-497-13289-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STY100NM60N

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1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014)

价格

数量: 500
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包装: 管件
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