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GermanyNVGS3443T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVGS3443T1G
摘要
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Ta） 6-TSOP
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
565 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
NVGS3443
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVGS3443T1G-ND
NVGS3443T1GOSCT
1990-NVGS3443T1GDKR
NVGS3443T1GOSTR
NVGS3443T1GOSDKR
1990-NVGS3443T1GTR
1990-NVGS3443T1GCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVGS3443T1G
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规格书
1(NTGS3443, NVGS3443)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 01/Oct/2021)
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NTGS3443, NVGS3443)
EDA 模型
1(NVGS3443T1G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-