English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRLZ34NPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLZ34NPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
详情
通孔 N 通道 55 V 30A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRLZ34
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001553290
*IRLZ34NPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLZ34NPBF
相关文档
规格书
1(IRLZ34NPbF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
环保信息
1(RoHS Certificate)
设计资源
1(IRLZ34NPBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
HTML 规格书
1(IRLZ34NPbF)
EDA 模型
()
仿真模型
1(IRLZ34NPBF Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $5.49913
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.71394
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $6.01466
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.44425
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.1628
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.8813
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.672
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $14.15
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-