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元器件型号详细信息
原厂型号
APT1002RBNG
摘要
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
详情
通孔 N 通道 1000 V 8A（Tc） 240W（Tc） TO-247AD
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
POWER MOS IV®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
240W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT1002RBNG-ND
150-APT1002RBNG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microsemi Corporation APT1002RBNG
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Legacy Prod EOL 1/Mar/2017)
价格
-
替代型号
-