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GermanyBSS8402DW-7
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS8402DW-7
摘要
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
详情
MOSFET - 阵列 60V，50V 115mA，130mA 200mW 表面贴装型 SOT-363
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA，130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
BSS8402
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSS8402DW7
BSS8402DWDITR
BSS8402DWDICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated BSS8402DW-7
相关文档
规格书
1(BSS8402DW Datasheet)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Green Encapsulate Change 09/July/2007)
价格
-
替代型号
-