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元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7470TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3430 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
IRF7470
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF7470TRPBF-ND
IRF7470PBFDKR
IRF7470PBFCT
IRF7470PBFTR
SP001570336
IRF7470TRPBFTR-ND
*IRF7470TRPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7470TRPBF
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1(Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020)
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PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IRF7470PbF)
EDA 模型
1(IRF7470TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRF7470 Spice Model)
价格
数量: 12000
单价: $6.00332
包装: 卷带（TR）
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