元器件型号详细信息

原厂型号
ISL89160FBEBZ
摘要
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
详情
低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC-EP
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
98

技术参数

制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
驱动配置
低端
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
4.5V ~ 16V
逻辑电压 - VIL,VIH
1.85V,3.15V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
6A,6A
输入类型
非反相
上升/下降时间(典型值)
20ns,20ns
工作温度
-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
供应商器件封装
8-SOIC-EP
基本产品编号
ISL89160

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /集成电路(IC)/电源管理(PMIC)/栅极驱动器/Renesas Electronics America Inc ISL89160FBEBZ

相关文档

规格书
1(ISL89160 - ISL89162)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 10/Jun/2015)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(ISL89160FBEBZ by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

-