元器件型号详细信息

原厂型号
CSD16322Q5C
摘要
MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 21A(Ta),97A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SON
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Ta),97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 20A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1365 pF @ 12.5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SON
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD1632

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-296-25644-1-ND
296-25644-2
-CSD16322Q5C-NDR
TEXTISCSD16322Q5C
296-25644-1
296-25644-6
2156-CSD16322Q5C

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD16322Q5C

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规格书
1(CSD16322Q5C)
产品培训模块
1(NexFET MOSFET Technology)
视频文件
()
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 10/Aug/2018)
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
制造商产品页面
1(CSD16322Q5C Specifications)
HTML 规格书
1(CSD16322Q5C)
EDA 模型
1(CSD16322Q5C by Ultra Librarian)

价格

数量: 100
单价: $8.027
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $10.295
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.53
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $8.027
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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