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元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRLR3915TRL
摘要
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
92 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1870 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRLR3915TRL
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规格书
1(AUIRLR3915)
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1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
价格
数量: 15000
单价: $4.18839
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $4.352
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : IPD30N06S2L13ATMA4
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,190
单价. : ¥13.44000
替代类型. : 直接
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单价. : ¥13.44000
替代类型. : 直接
型号 : FDD13AN06A0
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库存 : 254
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