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元器件型号详细信息
原厂型号
NTH4L060N090SC1
摘要
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
详情
通孔 N 通道 900 V 46A（Tc） 221W（Tc） TO-247-4L
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
43 毫欧 @ 20A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
87 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1770 pF @ 450 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
221W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NTH4L060N090SC1DKR-ND
488-NTH4L060N090SC1CT-ND
488-NTH4L060N090SC1
488-NTH4L060N090SC1TR-ND
488-NTH4L060N090SC1TR
488-NTH4L060N090SC1CT
488-NTH4L060N090SC1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTH4L060N090SC1
相关文档
规格书
1(NTH4L060N090SC1)
环保信息
()
PCN 封装
1(Multiple changes 15-Feb-2022)
价格
数量: 1000
单价: $76.79816
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $83.72742
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $94.1207
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $111.445
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $121.23
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-