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GermanyIRLR3410TRRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLR3410TRRPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IRLR3410
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IRLR3410TRRPBFTR
IRLR3410TRRPBF-ND
SP001558920
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLR3410TRRPBF
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1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRLR/U3410PbF)
仿真模型
1(IRLR3410TRPBF Spice Model)
价格
数量: 15000
单价: $4.08565
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $4.24525
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
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