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元器件型号详细信息
原厂型号
GWM160-0055X1-SLSAM
摘要
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
详情
MOSFET - 阵列 55V 150A 表面贴装型 ISOPLUS-DIL™
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
105nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
17-SMD，扁平引线
供应商器件封装
ISOPLUS-DIL™
基本产品编号
GWM160
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
GWM160-0055X1-SL SAMINACTIVE-ND
GWM160-0055X1-SL SAM
GWM160-0055X1-SLSAMINACTIVE
GWM160-0055X1-SL SAM-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/IXYS GWM160-0055X1-SLSAM
相关文档
规格书
1(GWM160-0055X1)
HTML 规格书
1(GWM160-0055X1)
价格
-
替代型号
-