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GermanyFDMS10C4D2N
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMS10C4D2N
摘要
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
45 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDMS10C4D2NOSDKR
FDMS10C4D2NOSCT
FDMS10C4D2NOSTR
FDMS10C4D2N-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDMS10C4D2N
相关文档
规格书
1(FDMS10C4D2N)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab 11/Nov/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FDMS10C4D2N)
价格
数量: 6000
单价: $10.67848
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $11.08919
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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