English
Spain
Rusia
Italy
GermanyGA100JT17-227
元器件型号详细信息
原厂型号
GA100JT17-227
摘要
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
详情
底座安装 1700 V 160A（Tc） 535W（Tc） SOT-227
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
-
技术
SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 100A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14400 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
535W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227
相关文档
规格书
1(GA100JT17-227)
PCN 产品变更/停产
1(GA50JT17/GA100JT17 14/Jun/2018)
价格
-
替代型号
-