English
Spain
Rusia
Italy
GermanyUPA2815T1S-E2-AT
元器件型号详细信息
原厂型号
UPA2815T1S-E2-AT
摘要
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 21A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1760 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-HWSON（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
UPA2815
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc UPA2815T1S-E2-AT
相关文档
规格书
1(uPA2815T1S)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(UPA2815T1S-E2-AT by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $3.96385
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $4.1187
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
替代型号
型号 : SI7129DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 12,623
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 类似
库存 : 12,623
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 类似
型号 : BSZ120P03NS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 24,188
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似
库存 : 24,188
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似
型号 : DMG7401SFG-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,780
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似
库存 : 2,780
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似
型号 : FDMC6675BZ
制造商 : onsemi
库存 : 600
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 类似
库存 : 600
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 类似
型号 : IRFHM9331TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
库存 : 4
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
型号 : SI7617DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 246,910
单价. : ¥7.00000
替代类型. : 类似
库存 : 246,910
单价. : ¥7.00000
替代类型. : 类似
型号 : DMG7401SFG-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似