元器件型号详细信息

原厂型号
TPW1R104PB,L1XHQ
摘要
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 120A(Ta) 960mW(Ta),132W(Tc) 8-DSOP Advance
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIX-H
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.14 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4560 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),132W(Tc)
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DSOP Advance
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPW1R104

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

264-TPW1R104PBL1XHQTR
TPW1R104PB,L1XHQ(O

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB,L1XHQ

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价格

数量: 10000
单价: $7.71825
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $7.92136
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $8.22603
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $8.83533
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $10.66342
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $12.9785
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $16.146
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $17.97
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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