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GermanyFDC658P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDC658P
摘要
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
33 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
750 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
FDC658
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDC658PDKR
FDC658PTR
FDC658P-ND
FDC658PCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDC658P
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规格书
1(FDC658P)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDC658P)
EDA 模型
1(FDC658P by Ultra Librarian)
价格
数量: 30000
单价: $1.57487
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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型号 : RRQ045P03TR
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