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GermanyFDI045N10A-F102
元器件型号详细信息
原厂型号
FDI045N10A-F102
摘要
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详情
通孔 N 通道 100 V 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK（TO-262）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
34 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5270 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
263W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK（TO-262）
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
FDI045
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDI045N10A_F102
FDI045N10A_F102-ND
ONSFSCFDI045N10A-F102
2156-FDI045N10A-F102-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDI045N10A-F102
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规格书
1(FDP045N10A, FDI045N10A)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mat 9-29-22)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FDP045N10A, FDI045N10A)
价格
数量: 2000
单价: $17.77555
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $18.71105
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.18596
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $26.0622
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $35.46
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPI045N10N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 235
单价. : ¥31.08000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥31.08000
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