元器件型号详细信息

原厂型号
1N485B TR
摘要
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO41
详情
二极管 200 V 200mA 通孔 DO-41
原厂/品牌
Central Semiconductor Corp
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000

技术参数

制造商
Central Semiconductor Corp
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
200 V
电流 - 平均整流 (Io)
200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 100 mA
速度
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
25 nA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装
DO-41
工作温度 - 结
-65°C ~ 200°C

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070

其它名称

1N485BCSTR
1N485B TR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Central Semiconductor Corp 1N485B TR

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规格书
1(1N485B, 1N486B)
环保信息
1(RoHS Cert)
PCN 产品变更/停产
1(1N485B/1N486B EOL 19/Aug/2016)
HTML 规格书
1(1N485B, 1N486B)

价格

-

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