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GermanyQH8MA4TCR
元器件型号详细信息
原厂型号
QH8MA4TCR
摘要
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
详情
MOSFET - 阵列 30V 9A，8A 1.5W 表面贴装型 TSMT8
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A，8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
640pF @ 15V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
TSMT8
基本产品编号
QH8MA4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
QH8MA4TCRTR-ND
QH8MA4TCRCT
846-QH8MA4TCRCT
QH8MA4TCRTR
QH8MA4TCRDKR-ND
846-QH8MA4TCRDKR
QH8MA4TCRDKR
846-QH8MA4TCRTR
QH8MA4TCRCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor QH8MA4TCR
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环保信息
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HTML 规格书
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EDA 模型
1(QH8MA4TCR by Ultra Librarian)
仿真模型
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价格
数量: 3000
单价: $3.03845
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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