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GermanyIRF7478TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7478TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1740 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF7478PBFCT
IRF7478PBFTR
IRF7478PBFDKR
SP001563530
*IRF7478TRPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7478TRPBF
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PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Alternate Assembly Site 15/Apr/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF7478PbF)
EDA 模型
1(IRF7478TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRF7478TRPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
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