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元器件型号详细信息
原厂型号
IR2112STR
摘要
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
详情
高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 16-SOIC
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
驱动配置
高压侧或低压侧
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
250mA，500mA
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
600 V
上升/下降时间（典型值）
80ns，40ns
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装
16-SOIC
基本产品编号
IR2112
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/Infineon Technologies IR2112STR
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规格书
1(IR2112(-1-2)(S)PbF)
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1(Part Number Guide)
HTML 规格书
1(IR2112(-1-2)(S)PbF)
EDA 模型
1(IR2112STR by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : IR2112STRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,307
单价. : ¥33.15000
替代类型. : 直接
库存 : 1,307
单价. : ¥33.15000
替代类型. : 直接