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GermanyIPP12CN10N G
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP12CN10N G
摘要
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.9 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4320 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP12C
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP12CN10N G-ND
IPP12CN10NGX
IPP12CN10NG
SP000096468
IPP12CN10NGXK
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP12CN10N G
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1(IP(B,D,I,P)12CN10N G)
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1(IP(B,D,I,P)12CN10N G)
价格
-
替代型号
型号 : IRFB4410ZPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,357
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 直接
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型号 : PSMN027-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
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单价. : ¥13.04000
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型号 : PSMN5R6-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥29.97000
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型号 : PSMN016-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,603
单价. : ¥17.01000
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型号 : PSMN9R5-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥23.29000
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单价. : ¥29.73000
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型号 : PSMN013-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,806
单价. : ¥18.36000
替代类型. : 类似
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型号 : FDP120N10
制造商 : onsemi
库存 : 27
单价. : ¥20.75000
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型号 : TK22E10N1,S1X
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥11.85000
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型号 : PSMN009-100P,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥13.05988
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型号 : FDP100N10
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型号 : CSD19534KCS
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型号 : PHP18NQ10T,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥12.72000
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型号 : STP120NF10
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库存 : 20,150
单价. : ¥38.32000
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型号 : PSMN7R0-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥25.68000
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库存 : 3,793
单价. : ¥20.19000
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