BSO080P03NS3EGXUMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

BSO080P03NS3EGXUMA1

摘要

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

详情

表面贴装型 P 通道 30 V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

8 毫欧 @ 14.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.1V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

81 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

6750 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

1.6W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-DSO-8

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

其它名称

BSO080P03NS3EG

BSO080P03NS3EGXUMA1TR

BSO080P03NS3E GCT

BSO080P03NS3E G

BSO080P03NS3E GDKR

BSO080P03NS3E G-ND

BSO080P03NS3E GTR-ND

2156-BSO080P03NS3EGXUMA1

IFEINFBSO080P03NS3EGXUMA1

BSO080P03NS3EGXUMA1DKR

BSO080P03NS3E GCT-ND

BSO080P03NS3EGXUMA1CT

SP000472992

BSO080P03NS3E GDKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1

价格

-

替代型号

型号 : FDS6673BZ

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥10.49000
替代类型. : 直接

型号 : FDS6670A

制造商 : onsemi
库存 : 2,090
单价. : ¥7.00000
替代类型. : 类似

型号 : SQ4483BEEY-T1_GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 26,056
单价. : ¥13.91000
替代类型. : 类似

型号 : DMG4407SSS-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 42,595
单价. : ¥5.25000
替代类型. : 类似

型号 : DMG4413LSS-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似

型号 : SI4174DY-T1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 10,029
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似

型号 : FDS6680A

制造商 : onsemi
库存 : 1
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似

ARJM11A3-008-KB-ER2-T SG73P2BTTD9312D RN73R2ETTD20R5B50 CARAEN3C2M19784 CMF07470K00JKR6

BSO080P03NS3EGXUMA1

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